廠商：廈門烯成

型號： G-CVD

技術指標：

1.可以轉移到2-6英寸Si及其他襯底。生長溫度700-1000℃;

2.可轉移5片2”/批

工藝特點：

兼容真空及常壓兩種最主流的生長模式;

1.采用計算機自動控制，系統內置了多種制備石墨烯的生長參數，用戶只需簡單操作，就可以輕松的制備出高質量的石墨烯;

2.可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數十厘米尺寸的石墨烯連續薄膜;

3. 可快速升溫、快速降溫，生長一次石墨烯只需30分鐘