設備簡介：

廠商：AST  

型號 CIRIE-200

技術指標：

1.刻蝕氣體：主要為氯氣、三氯化硼;

2.刻蝕材料：GaN、藍寶石;

3.wafer尺寸：2英寸或以下;

4.每爐片數：7片*2inch

工藝特點：

1.可以較好地精確地控制刻蝕的深度，刻蝕深度幾十nm到幾個微米;

2.通過調整刻蝕參數和刻蝕掩膜，可以調節刻蝕的角度，在30度到80度。